基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法

专利摘要:
基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法を提供する。サセプタ（２０）の上部に置かれた基板を加熱するヒーター（１５ａ、１６ｂ）を備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタ（１２）と、前記第２の温度領域と熱接触する接触面（２１）を有する放熱部材（２０）とを含んで基板支持ユニットを構成する。放熱部材（２０）は接触面（２１）に取り囲まれたリング状で、放熱部材（２０）の接触面（２１）はサセプタ（１２）の下部面と熱接触する。
公开号:JP2011515015A
申请号:JP2010544898
申请日:2009-02-03
公开日:2011-05-12
发明作者:ジェ，ソンーテ；チョ，ギョンージン；ヤン，イルークァン；リ，ドンーキュン
申请人:ユージン テクノロジー カンパニー リミテッド；
IPC主号:H01L21-02

专利说明:

[0001] 本発明は、基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法に関するもので、より詳細には、基板の温度分布を均一にすることができる基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法に関するものである。]
背景技術

[0002] 一般に、半導体製造工程は、ウェハに対する蒸着工程又はエッチング工程を含み、このような工程時、ウェハは、セラミック製又は金属製のサセプタに搭載された状態で抵抗ヒーター又はランプヒーターによって５００℃〜７００℃に加熱される。
この場合、工程均一度を確保するためにウェハ上の温度分布を均一に調節する必要があり、このために、サセプタの温度を均一に調節する必要がある。]
発明が解決しようとする課題

[0003] よって、本発明は上記の問題に鑑み、ウェハ上の温度分布を均一に調節することができる基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法を提供することが目的である。
本発明の他の目的は、サセプタ上の温度分布を均一に調節することができる基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法を提供することにある。]
課題を解決するための手段

[0004] 本発明の一態様によれば、サセプタの上部に置かれた基板を加熱するヒーターを備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタと、前記第２の温度領域と熱接触する接触面を有する放熱部材とを含む基板支持ユニットを提供することで上記および他の目的が達成される。
前記放熱部材は、前記第１の温度領域に対応する開口をさらに有することができる。前記放熱部材は、前記開口が前記接触面によって取り囲まれたリング状であり、前記接触面が前記サセプタの下部面と熱接触するように設置される。
前記開口は、リング状の前記接触面によって取り囲まれ、第１の半径を有する扇状の第１の開口と、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の開口とを備えることができる。前記開口は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に配置され、前記第１及び第２の開口と隣接する中間開口をさらに有することができる。
前記サセプタは、中心領域、縁部領域、及び前記中心領域と縁部領域との間に配置される中間領域を有し、前記開口は前記中心領域に対応するように配置され、前記接触面は前記中間領域に対応するように配置される。
前記ヒーターは、前記基板の中心部を加熱する第１のヒーターと、前記第１のヒーターを取り囲むように配置され、前記基板の縁部を加熱する第２のヒーターとを備えることができる。
前記放熱部材は、セラミック、ＡＩＮ、Ｎｉ、インコネルのうちいずれか一つを含むことができる。
前記基板支持ユニットは、前記サセプタの一面と略並行に配置され、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させる反射部材をさらに含むことができる。
前記サセプタは、前記第２の温度領域より低温である第３の温度領域及び該第３の温度領域より高温である第４の温度領域を有し、前記反射部材は、前記熱反射によって前記第３の温度領域を加熱することができる。
前記反射部材は、円盤状であり、第１の半径を有する扇状の第１の反射部材と、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の反射部材とを備えることができる。
本発明の他の態様によれば、基板処理装置は、基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内に提供され、前記基板を支持する基板支持ユニットと、前記基板支持ユニットによって支持された前記基板の上部に工程ガスを供給するシャワーヘッドとを含み、前記基板支持ユニットは、上部に置かれた前記基板を加熱するヒーターを備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタと、前記第２の温度領域と熱接触する接触面及び前記第１の温度領域に対応する開口を有する放熱部材と、前記サセプタの一面と略並行に配置され、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させる反射部材とを含み、前記開口はリング状の前記接触面によって取り囲まれ、第１の半径を有する扇状の第１の開口と、第２の半径を有する扇状の第２の開口とを備えている。
本発明のさらなる態様によれば、基板が置かれるサセプタを備える基板支持ユニットを製造する方法は、前記第１の温度領域及び前記第１の温度領域より高温である前記第２の温度領域を有し、前記サセプタの第２の温度領域の熱を放出するために、前記第２の温度領域と熱接触するように前記サセプタの一側に放熱部材を設置することを含む。
前記方法は、前記第１の温度領域と前記放熱部材との熱接触を防止するように、前記放熱部材に前記第１の温度領域に対応する開口を形成することを含むことができる。
前記放熱部材は、前記第１の温度領域に対応する開口が前記第２の温度領域と熱接触する接触面によって取り囲まれたリング状であり、前記開口を形成するのは、第１の半径を有する扇状の第１の開口を形成し、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の開口を形成することを含むことができる。
前記サセプタは、中心領域、縁部領域、及び前記中心領域と縁部領域との間に配置される中間領域を有し、前記放熱部材を設置する方法は、前記第１の温度領域に対応する開口を前記中心領域に対応するように配置し、前記第２の温度領域と熱接触する接触面を前記中間領域に対応するように配置することを含むことができる。
前記方法は、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させるように、反射部材を前記サセプタの一面と略並行に配置することをさらに含むことができる。
前記サセプタは、前記第２の温度領域より低温である第３の温度領域及び該第３の温度領域より高温である第４の温度領域を有し、前記反射部材を配置するのは、所定の半径を有する円盤状の反射部材を加工し、前記半径より小さい第１の半径を有する扇状の第１の反射部材を提供し；前記反射部材を加工し、前記半径より小さく、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の反射部材を提供することを含むことができる。]
発明の効果

[0005] 本発明によれば、ウェハ上の温度分布を均一に調節することができ、サセプタ上の温度分布を均一に調節することができる。]
図面の簡単な説明

[0006] 本発明の上記及び他の目的、特徴、ならびに他の利点が添付の図面と併せて以下の詳細な記述によってより明確に理解されよう。
本発明の一実施例に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
図１の放熱部材を示す図である。
図１の放熱部材を示す図である。
本発明の他の実施例に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
図４の反射部材を示す図である。
図４の反射部材を示す図である。
図４の放熱部材及び反射部材を示す図である。] 図１ 図４
実施例

[0007] 以下、本発明の好適な各実施例を添付の図１〜図７を参照してより詳細に説明する。本発明の各実施例は多様な形態に変形可能であり、本発明の範囲が下記で説明する各実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本実施例は、当該発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。したがって、図面に示した各要素の形状は、より明確な説明を強調するために誇張されることがある。
一方、以下では、蒸着装置を例に挙げて説明するが、本発明は、基板支持ユニットを備える多様な基板処理装置に応用可能である。また、以下では、ウェハ（Ｗ）を例に挙げて説明するが、本発明は多様な被処理体に応用可能である。
図１は、本発明の一実施例に係る基板処理装置１００を概略的に示す図である。基板処理装置１００は、膜を蒸着するためのもので、円筒状のチャンバ１１を備えている。チャンバ１１の内部には、ウェハ（Ｗ）を水平に支持する円盤状のサセプタ１２が配置され、サセプタ１２は支持部材１３によって支持される。サセプタ１２は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡＩＮなどのセラミック製である。サセプタ１２の縁部には、ウェハ（Ｗ）をガイドするためのガイドリング１４が提供される。
サセプタ１２の内部にはヒーター１５ａ、１５ｂが実装される。主に、第１のヒーター１５ａはサセプタ１２の中央部分を加熱し、第２のヒーター１５ｂはサセプタ１２の縁部分を加熱する。ヒーター１５ａ、１５ｂは、コイル型ヒーター又はパターンヒーターを含み、ヒーター１５ａ、１５ｂに対する電力供給はそれぞれ独立的に行われ、ヒーター１５ａ、１５ｂの加熱温度は独立的に制御される。ウェハ（Ｗ）は、ヒーター１５ａ、１５ｂによって所定温度に加熱される。一方、サセプタは熱電対（図示せず）を含み、熱電対は、サセプタ１２の温度を制御できるようにサセプタ１２の温度を感知する。
チャンバ１１内の天井にはシャワーヘッド３０が設置される。シャワーヘッド３０は、ガス供給ライン３２から供給される工程ガスをサセプタ１２に向けて供給し、ガス供給ライン３２はバルブ３２ａによって開閉される。シャワーヘッド３０には、高周波電源が接続され、必要に応じて、高周波電源から所定周波数の高周波電力がシャワーヘッド３０に供給される。
チャンバ１１の底には排気口１６が形成され、排気口１６を通して工程ガス及び反応副産物がチャンバ１１の外部に排出される。また、排気口１６を通してチャンバ１１内を所定の真空度に減圧することができる。チャンバ１１の側壁には、チャンバ１１からウェハ（Ｗ）を出し入れするための通路４２、及び通路４２を開閉するゲートバルブ４３が設置される。
一方、基板処理装置１００は、サセプタ１２の下部面に設置された放熱部材２０をさらに含む。放熱部材２０は、サセプタ１２の下部面と熱接触し、熱接触によってサセプタ１２の熱を外部に放出する。ここで、熱接触は、直接的な接触及び媒介物を介した間接接触を含み、このような直接接触及び間接接触を通して熱が伝達される。このような放熱を効果的に行うために、放熱部材２０は、熱伝逹係数の高い材質からなり、セラミック、ＡＩＮ、Ｎｉ、インコネルのうちいずれか一つを含むことができる。
通常のサセプタ１２は、縁部の放熱量が大きいので、サセプタ１２の縁部付近の温度が相対的に低くなりやすい。また、サセプタ１２に対向するシャワーヘッド１３で反射されてウェハに入射する熱の輻射量は、サセプタ１２の中央部分で相対的に大きい。その結果、実際にウェハの中央部分の温度が高くなり、ウェハ上での均一な温度分布が確保されない。
また、サセプタ１２を支持する支持部材１３に近接して位置するサセプタ１２の中央部分は支持部材１３によって冷却されるので、その部分の温度が他の部分に比べて相対的に大きく低下し、ウェハ（Ｗ）面内の温度の不均一を発生させる原因になる。
前記のような内容を総合すれば、図１に示すように、サセプタ１２は、三つの領域、すなわち、サセプタ１２の中心から外側に順次配置される第１〜第３の領域Ａ、Ｂ、Ｃに分けられる。以下で説明する第１〜第３の領域Ａ、Ｂ、Ｃは例示的なものであり、ヒーター１５ａ、１５ｂを含む外部条件（例えば、ウェハ（Ｗ）の大きさ、工程条件など）によって拡大又は縮小される。
第１の領域Ａは、上述したように、支持部材１３を通して冷却される部分であるので、隣接した第２の領域Ｂに比べて低い温度分布を示す。第３の領域Ｃは、上述したように、放熱量が最も大きい部分に該当するので、隣接した第２の領域Ｂに比べて低い温度分布を示す。したがって、第２の領域Ｂは、第１及び第３の領域Ａ、Ｃに比べて高い温度分布を示す。
放熱部材２０は、第２の領域Ｂに対応するように配置され、第２の領域Ｂを冷却するもので、第１及び第３の領域Ａ、Ｃとの温度均一性を確保する。本実施例とは異なり、放熱部材２０の大きさ及び形状を変形し、第２の領域Ｂと第１及び第３の領域Ａ、Ｃ間の温度均一性を確保可能であることは通常の技術者にとって自明である。以下では、図２及び図３を参照して放熱部材２０をより詳細に説明する。
図２及び図３は、図１の放熱部材２０を示す図である。図２は、加工前の放熱部材２０を示す図で、図３は、加工後の放熱部材２０を示す図である。図２に示すように、放熱部材２０は、中央に開口２３が形成されるリング状の接触面２１を備えており、接触面２１はサセプタ１２の下部面と熱接触する。開口２３は第２の直径Ｄ２を有し、接触面２１は第１の直径Ｄ１の外径を有する。
一方、放熱部材２０上には、サセプタ１２上の基板を支持するリフトピン（図示せず）の移動経路になるホール、及び放熱部材２０をサセプタ１２上に設置するためのホールが形成される。
使用者は、図２に示した放熱部材２０を図３のように加工し、サセプタ１２上の温度分布を均一に調節することができる。図３に示した放熱部材２０は、例示的なものに過ぎず、サセプタ１２上の温度分布によって放熱部材２０の加工結果が変わり得る。
使用者は、放熱部材２０が除去された状態でサセプタ１２上の温度分布（これと異なり、サセプタ１２上にウェハ（Ｗ）を載せた状態で工程を進行し、工程進行時にウェハ（Ｗ）上の温度分布を測定することもできる。）を測定し、測定された温度分布によって、使用者は放熱部材２０の開口２３を加工する。このとき、開口２３は、低温領域（他の領域に比べて相対的に温度が低い領域）に対応する大きさを有するように加工され、放熱部材２０をサセプタ１２に固定したとき、開口２３は低温領域に対応するように配置される。
図３に示すように、加工された放熱部材２０は、第１の半径ｒ１を有する第１の開口２２ａと、第２の半径ｒ２を有する第２の開口２２ｂと、第３の半径ｒ３を有する第３の開口２２ｃと、第４の半径ｒ４を有する第４の開口２２ｄと、第５の半径ｒ５を有する第５の開口２２ｅとを備えている。第１〜第５の開口２２ａ〜２２ｅは、扇状を有しており、時計回り方向に順次配置される。
放熱部材２０を再び説明すれば、上述したように、サセプタ１２（又はウェハ（Ｗ））上の温度分布を測定し、測定値によって第１〜第５の開口２２ａ〜２２ｅの半径、中心角の大きさ及び位置が決定される。このような過程を経て、第１の半径ｒ１を有する第１の開口２２ａが加工され、第１の開口２２ａを基準にして時計回り方向には第２の半径ｒ２を有する第２の開口２２ｂが加工される。一方、第１の開口２２ａと第２の開口２２ｂとの間には、第１の半径ｒ１及び第２の半径ｒ２と同一の大きさを有する二つの辺と、二つの辺をつなぐ一つの辺を有する三角形状の第１の中間開口２４ａが形成される。第１の中間開口２４ａは、第１及び第２の開口２２ａ、２２ｂの間に配置され、第１及び第２の開口２２ａ、２２ｂを互いに連結する。
第２の開口２２ｂを基準にして時計回り方向には第２の中間開口２４ｂが形成され、第２の中間開口２４ｂは、第２の半径ｒ２及び元の半径Ｒと同一の大きさを有する二つの辺と、二つの辺をつなぐ一つの辺を有する三角形状である。第２の開口２２ｂを基準にして時計回り方向には、加工されていない元の開口２３（第２の直径Ｄ２の半分に該当する半径Ｒを有する。）が位置する。
このような方法で、第３の中間開口２４ｃ、第３の開口２２ｃ、第４の中間開口２４ｄ、第４の開口２２ｄ、第５の中間開口２４ｅ、第５の開口２２ｅ、第６の中間開口２４ｆ及び第７の中間開口２４ｇが時計回り方向に順次配置され、第６の中間開口２４ｆと第７の中間開口２４ｇとの間には、加工されていない元の開口２３（第２の直径Ｄ２の半分に該当する半径Ｒを有する。）が位置する。
図１に示すように、前記のような過程を経て加工された放熱部材２０は、接触面２１を通してサセプタ１２の下部面、特に、高温領域（他の領域に比べて相対的に温度が高い領域）と熱接触するように設置され、熱接触しているサセプタ１２の高温領域を放熱によって冷却する。このとき、放熱部材２０は、第１〜第５の開口２２ａ〜２２ｅ及び第１〜第７の中間開口２４ａ〜２４ｇを有し、これは、低温領域（他の領域に比べて相対的に温度が低い領域）に対応する。したがって、放熱部材２０は、低温領域が接触面２１によって冷却されるのを防止する。前記のような過程を通してサセプタ１２の高温領域が冷却され、サセプタ１２（特に、第２の領域Ｂ）は均一な温度分布を有することができる。
図４は、本発明の他の実施例に係る基板処理装置を概略的に示す図である。以下では、上述した実施例と同一の構成についての説明は省略し、上述した実施例と区別される構成のみについて説明することにする。
図４に示すように、サセプタ１２は四つの領域に分けられる。すなわち、第３の領域Ｃの外側には第４の領域Ｄが位置し、第４の領域Ｄは、隣接した第３の領域Ｃに比べて高い温度分布を示す。
基板処理装置１００は、放熱部材２０の下部に放熱部材２０と略並行に配置された反射部材５０をさらに含む。反射部材５０は、サセプタ１２から反射部材５０に向けて放出された熱をサセプタ１２に向けて反射させ、サセプタ１２は、反射された熱によって再び加熱される。特に、第４の領域Ｄに比べて低い温度を有する第３の領域Ｃを加熱し、サセプタ１２の均一な温度分布を確保する。このような熱反射を効果に行うために、反射部材５０は、反射率の高い材質からなり、セラミック、ＡＩＮ、Ｎｉ、インコネルのうちいずれか一つを含むことができる。
以下では、図５及び図６を参照して反射部材５０をより詳細に説明する。図５及び図６は、図４の反射部材５０を示す図である。図５は、加工前の反射部材５０を示す図で、図６は、加工後の反射部材５０を示す図である。図５に示すように、反射部材５０は、第３の直径Ｄ３を有する円盤状である。一方、反射部材５０上には、反射部材５０を支持部材１３上に設置するための複数のホールが形成される。
使用者は、図５に示した反射部材５０を図６のように加工し、サセプタ１２上の温度分布を均一に調節することができる。図６に示した反射部材５０は、例示的なものに過ぎず、サセプタ１２上の温度分布によって反射部材５０の加工結果が変わり得る。
使用者は、反射部材５０が除去された状態でサセプタ１２上の温度分布（これと異なり、サセプタ１２上にウェハ（Ｗ）を載せた状態で工程を進行し、工程進行時にウェハ（Ｗ）上の温度分布を測定することもできる。）を測定し、測定された温度分布によって、使用者は反射部材５０の縁部を図６に示すように加工する。すなわち、上述したように、第４の領域Ｄが高温領域で、第３の領域Ｃが低温領域である場合、サセプタ１２から放出された熱は、反射部材５０を用いて第３の領域Ｃに提供され、第３の領域Ｃを加熱する。そして、反射部材５０によって反射された熱が第４の領域Ｄに提供されるのを防止するために、反射部材５０の縁部を加工する。
図６に示すように、反射部材５０は、第１の反射部材５２ａから第１２の反射部材５２ｌに至るまで時計回り方向に連続して配置され、第１〜第１２の反射部材５２ａ〜５２ｌは扇状である。
第１〜第１１の反射部材５２ａ〜５２ｋはそれぞれ第１〜第１１の半径Ｒ１〜Ｒ１１を有し、第１２の反射部材５２ｌは、第３の直径Ｄ３の１／２に該当する元の半径Ｒを有する。すなわち、図６に示すように、測定した温度分布によって反射部材５０の縁部を加工し、加工によって第１〜第１２の反射部材５２ａ〜５２ｌを製作する。図６に示した第１〜第１２の反射部材５２ａ〜５２ｌの半径及び中心角は例示的なものに過ぎず、測定された温度分布によって半径及び中心角は変更可能である。
前記のような反射部材５０を用いて第３の領域Ｃに反射熱を提供し、第４の領域Ｄに反射熱が提供されるのを防止することによって、サセプタ１２の温度分布を均一にすることができる。
図７は、図４の放熱部材２０及び反射部材５０を示す図である。図４に示すように、放熱部材２０と反射部材５０を共に使用することができ、これを通して、サセプタ１２の前面に対する温度分布をより均一にすることができる。例えば、第１の領域Ａと第２の領域Ｂとの間の温度均一性は放熱部材２０を用いて確保し、第３の領域Ｃと第４の領域Ｄとの間の温度均一性は反射部材５０を用いて確保することができる。しかし、本実施例は、例示的な内容であり、放熱部材２０と反射部材５０の役割は互いに変わり得る。] 図１ 図２ 図３ 図４ 図５ 図６ 図７
[0008] 本発明によれば、ウェハ上の温度分布は均一に調節される。さらに、サセプタ上の温度分布は均一に調節される。
以上、本発明を好適な各実施例を通して詳細に説明したが、これと異なる形態の実施例も可能である。したがって、以下に記載した特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好適な各実施例に限定されない。]
[0009] １１チャンバ
１２サセプタ
１３支持部材
１４ガイドリング
１５ａ、１５ｂヒーター
１６排気口
２０放熱部材
２２ 開口
２４中間開口
３０シャワーヘッド
５０ 反射部材]

权利要求:

請求項1
サセプタの上部に置かれた基板を加熱するヒーターを備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタと、前記第２の温度領域と熱接触する接触面を有する放熱部材と、を含むことを特徴とする基板支持ユニット。
請求項2
前記放熱部材は、前記第１の温度領域に対応する開口をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項3
前記放熱部材は、前記開口が前記接触面によって取り囲まれたリング状であり、前記接触面が前記サセプタの下部面と熱接触するように設置されることを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項4
前記開口は、リング状の前記接触面によって取り囲まれ、第１の半径を有する扇状の第１の開口と、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の開口と、を備えることを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項5
前記開口は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に配置され、前記第１及び第２の開口と隣接する中間開口をさらに有することを特徴とする、請求項４に記載の基板支持ユニット。
請求項6
前記サセプタは、中心領域、縁部領域、及び前記中心領域と縁部領域との間に配置される中間領域を有し、前記開口は前記中心領域に対応するように配置され、前記接触面は前記中間領域に対応するように配置されることを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項7
前記ヒーターは、前記基板の中心部を加熱する第１のヒーターと、前記第１のヒーターを取り囲むように配置され、前記基板の縁部を加熱する第２のヒーターと、を備えることを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項8
前記放熱部材は、セラミック、ＡＩＮ、Ｎｉ、インコネルのうちいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項9
前記基板支持ユニットは、前記サセプタの一面と略並行に配置され、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させる反射部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板支持ユニット。
請求項10
前記サセプタは、前記第２の温度領域より低温である第３の温度領域及び該第３の温度領域より高温である第４の温度領域を有し、前記反射部材は、前記熱反射によって前記第３の温度領域を加熱することを特徴とする、請求項９に記載の基板支持ユニット。
請求項11
前記反射部材は、円盤状であり、第１の半径を有する扇状の第１の反射部材と、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の反射部材と、を備えることを特徴とする、請求項１０に記載の基板支持ユニット。
請求項12
基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内に提供され、前記基板を支持する基板支持ユニットと、前記基板支持ユニットによって支持された前記基板の上部に工程ガスを供給するシャワーヘッドと、を含み、前記基板支持ユニットは、前記サセプタの上部に置かれた前記基板を加熱するヒーターを備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタと、前記第２の温度領域と熱接触する接触面及び前記第１の温度領域に対応する開口を有する放熱部材と、前記サセプタの一面と略並行に配置され、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させる反射部材と、を含み、前記開口は、リング状の前記接触面によって取り囲まれ、第１の半径を有する扇状の第１の開口と、第２の半径を有する扇状の第２の開口と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
請求項13
前記サセプタは、前記第２の温度領域より低温である第３の温度領域及び該第３の温度領域より高温である第４の温度領域を有し、前記反射部材は、前記熱反射によって前記第３の温度領域を加熱することを特徴とする、請求項１２に記載の基板処理装置。
請求項14
基板が置かれるサセプタを備える基板支持ユニットを製造する方法において、前記サセプタの第１の温度領域および前記第１の温度領域より高温である前記第２の温度領域を有し、前記第２の温度領域の熱を放出するために、前記第２の温度領域と熱接触するように前記サセプタの一側に放熱部材を設置することを含むことを特徴とする基板支持ユニットの製造方法。
請求項15
前記方法は、前記第１の温度領域と前記放熱部材との熱接触を防止するように、前記放熱部材に前記第１の温度領域に対応する開口を形成することを特徴とする、請求項１４に記載の基板支持ユニットの製造方法。
請求項16
前記放熱部材は、前記第１の温度領域に対応する開口が前記第２の温度領域と対応する接触面によって取り囲まれたリング状であり、前記開口の形成は、第１の半径を有する扇状の第１の開口を形成し、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の開口を形成することを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の基板支持ユニットの製造方法。
請求項17
前記サセプタは、中心領域、縁部領域、及び前記中心領域と縁部領域との間に配置される中間領域を有し、前記放熱部材を設置する方法は、前記第１の温度領域に対応する開口を前記中心領域に対応するように配置し、前記第２の温度領域と熱接触する接触面を前記中間領域に対応するように配置することを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の基板支持ユニットの製造方法。
請求項18
前記方法は、前記サセプタから放出された熱を前記サセプタに向けて反射させるように、反射部材を前記サセプタの一面と略並行に配置することをさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の基板支持ユニットの製造方法。
請求項19
前記サセプタは、前記第２の温度領域より低温である第３の温度領域及び該第３の温度領域より高温である第４の温度領域を有し、前記反射部材を配置するのは、所定の半径を有する円盤状の反射部材を加工し、前記半径より小さい第１の半径を有する扇状の第１の反射部材を提供し、前記反射部材を加工し、前記半径より小さく、前記第１の半径と異なる第２の半径を有する扇状の第２の反射部材を提供することを含むことを特徴とする、請求項１８に記載の基板支持ユニットの製造方法。